10.3321/j.issn:1000-565X.2006.01.011
PTPD/Alq3异质结电致发光二极管及其稳定性
采用新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合物(PTPD)制成了ITO(氧化铟锡)/PTPD/Alq3(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结电致发光器件,考察了其电致发光特性.结果表明,当Alq3厚度很薄(小于或等于10nm)时,器件仅为PTPD层特征发光;当Alq3厚度达到50nm时,器件仅为Alq3层特征发光.将所制得的器件与典型的ITO/TPD/Alq3/Mg:Ag器件进行了比较,发现稳定性明显提高,其原因是PTPD的热稳定性高、成膜质量好.
聚TPD、二极管、异质结、有机电致发光
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TN383+.1(半导体技术)
四川省科技攻关项目03GG009-002
2006-04-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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