GaN基量子阱激光器交叉饱和特性的计算与分析

摘要：

通过分析GaN能带结构和跃迁矩阵元,对GaN基量子阱激光器的交叉饱和特性作了理论上的计算与分析.并给出了TE和TM模自身交叉与相互交叉的交叉饱和系数的曲线,分析了能带结构和载流子面密度对交叉饱和特性的影响.发现相互作用的两光场频率相等时,两光场的交叉饱和系数出现峰值,两光场频率不等时相应的交叉饱和系数远小于峰值;同时发现在交叉饱和系数峰值处,不同载流子面密度将对交叉饱和系数产生不同的影响,因此,载流子面密度的改变可影响交叉饱和系数.

关键词：GaN、量子阱激光器、交叉饱和

所属期刊栏目：33

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

资助基金：华南理工大学校科研和教改项目121E5040590

在线出版日期：2005-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-39