从n型硅到RTN超薄SiO2膜的电流传输特性

摘要：

用卤素钨灯作辐射热源,对超薄(10 nm)SiO2膜进行快速热氮化(RTN),制备了SiOxNy超薄栅介质膜,并制作了Al/n-Si/SiOxNy/Al结构电容样品.研究了不同样品中n型Si到快速热氮化超薄SiO2膜的电流传输特性及其随氮化时间的变化.结果表明:低场时的漏电流很小;进入隧穿电场时,I-E曲线遵循Fowler-Nordheim(F-N)规律;在更高的电场时,主要出现两种情形,其一是I-E曲线一直遵循F-N规律直至介质膜发生击穿,其二是I-E曲线下移,偏离F-N关系,直至介质膜发生击穿.研究表明,I-E曲线随氮化时间增加而上移.文中对这些实验结果进行了解释.

关键词：快速热氮化、超薄SiO2膜、电流传输特性

所属期刊栏目：31

分类号：O483.3(固体物理学)

在线出版日期：2003-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：51-54