低能量氩离子束轰击改善双极型晶体管的噪声特性

摘要：

在完成超高频小功率晶体管的芯片和上部铝电极的制备工艺后,采用低能量氩离子束轰击芯片背面,能有效地降低其高频及低频噪声系数、提高其特征频率和电流放大系数.实验结果表明,晶体管低频噪声系数的下降与硅-二氧化硅界面的界面态密度的减小有关,而其高频噪声系数的下降是特征频率和电流放大系数增加的结果.

关键词：氩离子、轰击、噪声、寿命、晶体管

所属期刊栏目：31

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2003-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：19-22