用IR及XPS研究Photo-CVD SiO2薄膜特性

摘要：

在低温下采用以低压Xe气激发真空紫外光作光源,以SiH4和O2作为反应气体的直接光CVD技术在硅衬底上成功地淀积出SiO2薄膜.用红外光谱分析发现,薄膜中未出现与Si-H、Si-OH相应的红外吸收峰,Si-O伸缩振动所对应的吸收峰峰位在1 054～1 069 cm-1之间;通过高频C-V特性曲线计算出SiO2-Si系统中固定氧化物电荷密度在2×1010～3×10 11cm-2范围内;XPS分析表明,SiO2薄膜中Si的2p能级结合能为103.6 eV,界面处亚氧化硅的总含量为每平方厘米3.72×1015个原子.

关键词：光CVD、SiO2薄膜、红外光谱、XPS、C-V特性

所属期刊栏目：31

分类号：O484.4(固体物理学)

在线出版日期：2003-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：61-64