10.3321/j.issn:1000-565X.2001.02.009
富氮SiOxNy膜的电子注入特性
通过施加直流电压于P型SiOxNy薄膜,使热电子注入到薄膜而引起薄膜电学参数的改变.测试了薄膜在电子注入前后电学参数的变化,以研究薄膜的电子注入特性,探求薄膜的抗电子注入能力与制备工艺之间的关系.结合俄歇电子能谱和红外光谱分析膜的微观结构,对薄膜的电子注入特性进行了理论分析与讨论.
SiOxNy薄膜、等离子体增强化学气相淀积、电子注入、俄歇电子能谱、红外光谱、电学特性
29
TN304.055;O484.42(半导体技术)
广东省自然科学基金950186
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
31-34