10.3321/j.issn:1000-565X.2001.02.008
三元准周期半导体超晶格的电子态
用紧束缚方法研究了三元准周期半导体超晶格的电子态,讨论了杂质对三元准周期超晶格系统的电子隧穿透射率谱及电子态几率分布的影响.结果表明,杂质的存在对系统的电子隧穿透射率谱有明显的影响,杂质所处位置和杂质性质的不同都会使系统的电子态发生变化.
准周期超晶格、紧束缚、杂质、透射率
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TN301.1;TN304.23(半导体技术)
教育部高校骨干教师资助计划教技司 [2000]65;广东省自然科学基金960286
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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