10.3321/j.issn:1000-565X.1999.10.020
双模型三元混晶的界面极化子
采用EPMA近似法,研究了双模型三元混晶界面极化子的性质,计算了ZnSxSe1-x(GaAs)和AlxGa1-xAs(GaSb)材料中界面光声子与电子的耦合随x的变化.结果表明,在强电场作用下,界面光声子与电子的耦合加强;体光声子与电子的耦合在x的某一取值处存在极小值,界面光声子与电子的耦合随x的变化则较复杂.
界面极化子、双模型三元混晶、声子
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O4(物理学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
102-106