Ag掺杂对单层MoS2的电子结构和光学性质影响

摘要：

基于密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了Ag掺杂单层MoS2中的能带结构、态密度和光学性质.计算结果显示单层MoS2具有直接带隙结构,禁带宽度为1.63 eV;Ag掺杂后,Ag 4d与S 3p,Mo 4d发生轨道杂化,在费米能级处产生了多条杂化能级,表现为半金属特性,其中吸收峰、反射峰和能量损失峰峰值均有不同程度减小并向低能方向发生偏移,计算结果为Ag掺杂单层MoS2的光电子器件制备提供了理论依据.

关键词：Ag掺杂、第一性原理、MoS2、光学性质

所属期刊栏目：36

分类号：O471.5(半导体物理学)

资助基金：陕西教育厅专项科学研究项目17JK0876;陕西省高水平大学建设项目2015SXTS02

在线出版日期：2018-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：524-527