GaN电子结构与光学性质的第一原理研究

摘要：

采用了基于密度泛函理论和广义梯度近似方法计算了GaN电子结构和光学性质,计算结果表明,GaN属于直接带隙半导体,静态介电常数为5.72,折射率为2.2.并利用计算所得图形,分析了GaN的能带结构、态密度、介电函数、折射率和能量损失函数,从理论上阐述了GaN材料电子结构与光学性质的关系,计算结果与实验结果相符.

关键词：GaN晶体、电子结构、密度泛函、光学性质

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：陕西省教育厅专项科研基金2013JK0917;延安大学青年科研基金YDK2015-44

在线出版日期：2016-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19