Ⅰ层对PIN型InGaN太阳电池性能影响的研究
利用wxAMPS软件研究了Ⅰ层对PIN型InGaN太阳电池性能的影响及物理机制.通过模拟计算发现,在同质结的PIN型InGaN太阳电池中,随着Ⅰ层厚度的增加,InGaN电池的开路电压几乎恒定,而短路电流增加,因此太阳能转换效率增加.在异质结的PIN型InGaN太阳电池中,Ⅰ层与P层和N层的In组分之差变大,会使异质结带阶变大,降低了太阳电池的能量转换效率.研究结果表明,适当选择Ⅰ层厚度和In组分可以实现太阳电池转换效率提升和成本控制.
太阳电池、InGaN、转换效率
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TM914.4
陕西省教育厅专项科研基金2013JK0917
2016-01-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
1946-1948