磷掺杂半导体单壁碳纳米管电子结构的第一性原理研究

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理，研究了掺磷（P）单壁碳纳米管（SWCNT）的电子结构性质。结果表明，引入掺杂原子可显著改变SWCNT费米能级附近的能带结构，掺杂SWCNT的电子态密度（DOS）向低能端移动，其最高分子占据轨道（HOMO）与最低分子非占据轨道（LUMO）间的能隙减小，掺杂的磷原子比碳原子多出的电子更容易从价带向导带跃迁。

关键词：单壁碳纳米管、第一性原理、P掺杂、态密度

分类号：TQ127

资助基金：陕西省教育厅专项基金12JK0991

在线出版日期：2015-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：2263-2266