苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩-thieno [3,4-b]thiadiazole导电性的理论研究

摘要：

采用密度泛函理论,在B3LYP/6-31G (d)水平下,对苯并[1,2-b:4,5-b']二噻吩(BDT)-thieno[3,4-b]thiadiazole (TD)的低聚物和聚合物进行了理论计算.其中,BDT为电子供体,TD为电子受体,以1∶2的方式结合形成化合物,并计算了二面角、分子内的电荷传输、桥键键长和中心键电荷密度.结果显示:随着聚合链增长,共轭程度增加.NICSs值显示:中心环比边环的共轭程度更大.聚合物的能带结构表明:该聚合物的带隙比较低(0.87 eV),故其可以作为潜在的导电材料.

关键词：密度泛函理论、苯并[1、2-b:4、5-b’]二噻吩、共轭聚合物、导电材料

所属期刊栏目：32

分类号：O649.5(物理化学（理论化学）、化学物理学)

资助基金：川北医学院科研发展计划项目CBY13-A-QN29

在线出版日期：2014-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：343-346