多势垒中的电子输运

摘要：

利用有效质量近似、传递矩阵方法结合边界条件计算了多势垒结构中电子的一维定态薛定谔方程,数值计算了电子穿过矩形势垒的透射概率与电子纵向能量的关系,并以Ga1-xAlxAs/GaAs超晶格结构为例,对多势垒中电子输运的几个基本现象作了说明.分析了势垒的数目和宽度对El-lnT曲线的影响,共振隧穿的产生原因以及势垒数与共振劈裂尖峰数的关系等.

关键词：传递矩阵、超晶格结构、势垒、势阱

分类号：O471(半导体物理学)

在线出版日期：2013-03-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1710-1715