10.3969/j.issn.1004-3918.2012.02.009
压强对PECVD制备碳纳米管的影响
采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),以C2H2、H2和N2为反应气体,在镀Ni催化剂的Si基底上成功制备出多壁碳纳米管薄膜.并通过扫描电镜拍摄其表征,系统、深入地研究了沉积压强对碳管形貌的影响.结果表明:沉积压强对催化剂的刻蚀和碳纳米管薄膜的形成起着重要作用,获得定向性良好、分布均匀、密度适中的碳纳米管的最佳沉积压强是300 Pa.
碳纳米管、沉积压强、PECVD
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O484(固体物理学)
2012-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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