10.3969/j.issn.1004-3918.2007.04.011
非晶GaAs1-xNx薄膜的形貌和光学性能
采用磁控溅射方法在硅片上,成功制备了不同氮偏压下的非晶GaAs1-xNx薄膜.结合AFM和光谱仪等手段对样品进行了表征,结果表明:随着氮气的引入,α-GaAs薄膜的球状颗粒转变为针状颗粒;并且随着氮偏压的升高,针状颗粒密度逐渐增大,薄膜表面的粗糙度逐渐减小;随着氮偏压的升高,a-GaAs1-xNx薄膜的光吸收边明显蓝移.
磁控溅射、GaAs1-xNx薄膜、AFM、光吸收谱
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O484(固体物理学)
国家自然科学基金60572001
2007-09-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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