科学家开发出三维垂直场效应晶体管

摘要：

通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道,日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管,可用来生产高密度数据存储器件.此外,通过使用反铁电体代替铁电体,他们发现擦除数据只需要很小的净电荷,从而提高了写入的效率.发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该项成果,将催生新的更小、更环保的数据存储器.

机标关键词：场效应晶体管、科学家、垂直场

所属期刊栏目：41

分类号：TN386;O482.532;TN722.75

在线出版日期：2022-07-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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