10.3969/j.issn.1003-5168.2019.13.022
RTA工艺对HfO2/Si界面电学特性的影响
为进一步优化HfO2/Si界面的电学性能,本文采用RTA工艺处理HfO2/Si样品,并分析了相应MOS器件的C-V特性.实验结果显示,HfO2/Si界面存在大量的氧化物陷阱电荷,而RTA工艺可以有效修复氧化物陷阱,有效改善HfO2/Si结构MOS器件的电学特性.
HfO2/Si界面、RTA工艺、氧化物陷阱电荷
TN304(半导体技术)
2019-08-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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