宽禁带半导体碳化硅在中红外激光方面的应用
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1003-5168.2017.17.059

宽禁带半导体碳化硅在中红外激光方面的应用

引用
中红外波段的激光在分子光谱、气体探测、环境保护、医学、激光通讯、红外遥感及光电对抗等领域被广泛应用.常用的中红外非线性光学晶体(硫化物及硒化物等)受低激光损伤阈值的限制,不能满足当今对大功率中红外激光的迫切需求.碳化硅优异的物理性质如宽的带隙(2.3~3.2eV)、高的热导率(490W/(m· K))及强的共价键能(5eV)等有利于提高其抗激光损伤能力.因此,碳化硅将是一种有重要应用前景的中红外非线性光学材料.

碳化硅、中红外激光、相位匹配、非线性光学晶体

O613.7(无机化学)

2017-11-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

133-135

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

河南科技

1003-5168

41-1081/T

2017,(17)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn