10.3969/j.issn.1003-5168.2017.16.026
超结领域的全球专利技术分析
超结结构突破了传统功率MOS器件的理论极限,被誉为功率MOS器件的里程碑器件.本文对超结领域全球的相关专利技术进行分析,从申请趋势、区域分布、主要申请人等多个角度进行深入挖掘,梳理超结技术的现状及发展趋势.
超结、专利分析、技术生命周期
O471(半导体物理学)
2017-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
49-51
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10.3969/j.issn.1003-5168.2017.16.026
超结、专利分析、技术生命周期
O471(半导体物理学)
2017-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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