10.3969/j.issn.1003-5168.2016.14.028
隧穿场效应晶体管的专利申请态势分析
本文首先介绍了隧穿场效应晶体管(TFET)的原理和发展概况,随后对2016年3月31日前已公开了TFET的相关专利申请进行统计分析,给出专利技术发展趋势、区域分布和申请人分布,帮助技术人员了解TFET技术专利发展状态,并希望对技术人员寻找进一步研究的方向提供帮助.
TFET、专利申请态势
TN386(半导体技术)
2016-12-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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