10.3969/j.issn.1003-5168.2016.13.056
低缺陷β-Ga2O3单晶材料生长技术研究
β-Ga2O3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga2O3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga2O3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga2O3单晶生长技术进展,分析低缺陷β-Ga2O3单晶材料生长方法.
β-Ga2O3、宽带隙、单晶
O782(晶体生长)
2016-11-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
140-142
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10.3969/j.issn.1003-5168.2016.13.056
β-Ga2O3、宽带隙、单晶
O782(晶体生长)
2016-11-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
140-142
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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