切向的近本征硅单晶的普克尔斯效应研究

摘要：

本研究采用金属-绝缘体-半导体的平板结构在(111)切向的近本征硅单晶的空间电荷区内观测到了线性电光效应.实验结果表明:硅单晶的线性电光效应十分可观,在设计硅基光电子器件时必须考虑.该效应在未来有可能作为一种研究硅器件的空间电荷区性质的工具.

关键词：硅、普克尔斯效应、空间电荷区

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：127-129