10.3969/j.issn.1008-9772.2004.04.002
直流磁控反应溅射工艺参数对SnO2:Sb薄膜光学带隙的影响
利用紫外-可见光谱仪对直流磁控反应溅射工艺参数对SnO2:Sb薄膜光学带隙的影响进行了研究.结果表明:SnO2:Sb薄膜的光学带隙随着溅射功率的增加而减小,随着氧气分压的增加而增大,随着退火温度的增加而增大.同时,工艺参数还对薄膜的其它性质有影响.
直流磁控反应溅射、紫外-可见光谱仪、光学带隙
O48;TN3
2005-02-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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