制备条件对镓掺杂氧化锌薄膜的透明导电性影响

摘要：

用高温固相反应法制备了镓掺杂的氧化锌导电陶瓷,研究了预烧温度、烧结温度和掺杂浓度等工艺条件；用射频磁控溅射方法分别在玻璃和石英基底上沉积了镓掺杂的氧化锌薄膜,研究了该薄膜在不同的基底温度和不同的氧氩比等条件下的光电性质的变化情况以及氮气氛下不同退火温度下的光电性质,结果表明:镓掺杂氧化锌薄膜在450℃的基底温度、2％的掺杂浓度和700℃的退火温度等条件下实现了0.84×10-4 Ω·cm的低电阻率和大于90％的可见光透过率,其光学带隙随退火温度的上升也有一定程度的增大.

关键词：工艺条件、导电陶瓷、透明导电氧化物、镓掺杂氧化锌薄膜、射频磁控溅射

所属期刊栏目：42

分类号：TN304.21(半导体技术)

资助基金：东莞市科技计划高等院校、科研机构研发经费资助项目200910814032,2011108102025;东莞理工学院创新人才项目E3456108

在线出版日期：2014-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：707-711