镀镍硅基底上利用化学池沉积法制备二硫化钼膜

摘要：

利用化学池沉积法在化学镀镍的n-Si基底上沉积MoS2薄膜.结果显示,MoS2膜的最佳合成条件为:钼酸铵浓度为10-4 mlo/L,退火温度为850℃.此时,得到具有六角晶形的Ⅱ型膜,MoS2膜晶体尺寸约200 nm.没有Ni诱导层的MoS2膜结晶很差,无确定取向.相同条件下,以Ni为诱导层的样品为具有沿[002]取向的Ⅱ型MoS2膜,并且具有较好的六角晶形,说明Ni诱导层对于得到Ⅱ型MoS2膜的重要性.Ni诱导层的影响归于液态S-Ni相的形成并提供的沿[002]方向的生长动力.

关键词：化学池沉积、MoS2膜、Si基底、镍

所属期刊栏目：42

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然基金项目10374047;河南省科技厅科技攻关项目102102210164

在线出版日期：2014-12-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：699-702