10.3969/j.issn.1003-4978.2012.01.005
闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中激子态及带间光跃迁
基于有效质量近似,运用变分方法研究闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中的激子态及带间光跃迁随闪锌矿GaN/AlGaN量子阱结构参数的变化关系,考虑电子与空穴在其量子阱中的有限势效应.数值计算结果显示出当量子阱的尺寸增加时,基态激子结合能和带间光跃迁能降低,而当闪锌矿GaN/AlGaN量子阱中垒层材料AlGaN中Al含量增加时,基态激子结合能和带间光跃迁能增加.
激子、量子阱、GaN
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O471.4(半导体物理学)
河南省科技厅基础与前沿技术研究102300410108;河南省教育厅自然科学研究计划项目2011A140028;郑州轻工业学院重大预研基金项目2009XYYJJ006
2012-04-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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