室温下硅与硅锗合金的热电性能研究

摘要：

采用第一性原理方法研究在温度为300K时,硅单质和两种锗组分不同的硅锗合金的热电性能,发现虽然硅的热电功率因子S2σ较大,但由于其热导率也高,故不是良好的热电材料,但若与其同族的元素锗形成合金,就可使材料的热导率得到显著下降,伴随而来的载流子迁移率的下降则远不如热导率明显,从而可获得较大的热电优值,而且在硅锗合金中锗含量不同时,热电优值也会有变化.

关键词：热电材料、硅锗合金、热电优值、输运性质

所属期刊栏目：40

分类号：O48(固体物理学)

资助基金：河南省科技厅基础前沿计划资助课题082300410010

在线出版日期：2010-11-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：464-467