Si基底上不同厚度TiO2薄膜表面光伏特性研究

摘要：

在p-型Si片基底上通过甩膜焙烧形成不同厚度的锐钛矿型TiO2薄膜,发现不同厚度薄膜的表面光伏特性差别很大,随着多次扫描光伏响应变化也不同.在TiO2膜很薄的情况下,Si与TiO2分别表现各自的光伏特性,说明上层TiO2薄膜对界面态的影响小;随着TiO2膜厚度的增加,其对界面态的影响增强,表现为界面主导的光伏响应.进一步的实验表明,上层薄膜的电荷密度大时,对界面态的影响强,光电压谱上明显表现出界面的作用;而当上层薄膜的电荷密度足够小时,对界面态的影响弱,使得组成界面的物质表现各自的光伏特征.实验同时表明表面光伏技术对表面和界面均敏感,控制适当的条件可以得到表面主导或界面主导的光伏响应特征.

关键词：表面光伏、薄膜厚度、界面态、电荷密度、TiO2

所属期刊栏目：36

分类号：O472.8(半导体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2002CCC02700;国家自然科学基金90306010;20371015

在线出版日期：2006-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：17-20