复合半导体桥的电爆特性

摘要：

针对半导体桥小型化带来的点火可靠性问题,制备了复合半导体桥,采用高速存贮示波器对其在22 μF电容不同充电电压下的电爆过程进行了研究,并与多晶硅半导体桥的电爆性能进行了对比.结果显示:在电爆过程爆发前,复合半导体桥和多晶硅半导体桥的电爆过程基本一致;爆发后特别是在高压时(50 V),与多晶硅半导体桥相比,复合半导体桥上电流下降缓慢,爆发所需时间稍偏长,作用于等离子体上的能量稍多;爆发后3 μS内,复合半导体桥作用于等离子体上的能量增加较多,因此复合半导体桥点火可靠性更高.复合半导体桥上金属薄膜的存在是造成上述结果差异的原因.

关键词：军事化学与烟火技术、电爆装置、半导体桥、点火起爆

所属期刊栏目：23

分类号：TJ55;O69(爆破器材、烟火器材、火炸药)

资助基金：国家自然科学基金资助50806033;国家博士后基金资助2012M511285

在线出版日期：2015-03-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：7-12