Si2+/He+离子辐照对单晶4H-SiC力学性能的影响

摘要：

为研究单晶4H-SiC的辐照效应,在320℃采用10 dpa的Si2+辐照未预注入和预注入He+的单晶4H-SiC,之后通过拉曼光谱和纳米压痕实验分别对辐照后的微观结构和力学性能进行研究.拉曼光谱显示辐照后出现同核Si-Si键和同核C-C键,与Si-C键相关的E2(TO)和A1(LO)峰发生偏移并展宽,结晶度变差.纳米压痕的结果表明,Si2+辐照和He++Si2+辐照后钉扎效应导致4H-SiC硬度分别上升了25.35％和21.37％.由于4H-SiC发生膨胀导致弹性模量下降,其中氦泡导致He++Si2+辐照后弹性模量下降更加明显.

关键词：4H-SiC、Si2+/He+、辐照、硬度、弹性模量

所属期刊栏目：11

分类号：TL344(核反应堆工程)

资助基金：国家自然科学基金11505037

在线出版日期：2020-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4-7,10