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10.3969/j.issn.1674-8646.2017.06.046

基于压电雾化喷涂的光刻胶涂覆工艺及其应用研究

引用
本文在自主搭建的压电雾化喷涂系统上,以RFJ-210负性光刻胶为研究对象,抛光硅片为基材,分别研究了稀释体积比、速度以及距离等喷涂工艺对光刻胶薄膜平均厚度及均匀性的影响.并以表面具有非平面凸台结构的ITO玻璃为基材,分别进行压电雾化喷涂法和旋转法涂胶,实验结果表明:压电雾化喷涂法可以在三维形貌结构表面上涂覆,克服了传统旋转法无法在三维形貌结构表面上涂胶的缺陷,验证了压电雾化喷涂法在三维形貌结构表面应用中的可行性.

负性光刻胶、压电雾化喷涂、平均厚度、均匀性、抛光硅片、凸台结构

8

TN305;TH122(半导体技术)

江苏省科技计划;苏州市科技计划;吴江区科技领军人才计划项目

2017-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

98-100

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黑龙江科学

1674-8646

23-1560/G3

8

2017,8(6)

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