10.3969/j.issn.1674-8646.2017.06.046
基于压电雾化喷涂的光刻胶涂覆工艺及其应用研究
本文在自主搭建的压电雾化喷涂系统上,以RFJ-210负性光刻胶为研究对象,抛光硅片为基材,分别研究了稀释体积比、速度以及距离等喷涂工艺对光刻胶薄膜平均厚度及均匀性的影响.并以表面具有非平面凸台结构的ITO玻璃为基材,分别进行压电雾化喷涂法和旋转法涂胶,实验结果表明:压电雾化喷涂法可以在三维形貌结构表面上涂覆,克服了传统旋转法无法在三维形貌结构表面上涂胶的缺陷,验证了压电雾化喷涂法在三维形貌结构表面应用中的可行性.
负性光刻胶、压电雾化喷涂、平均厚度、均匀性、抛光硅片、凸台结构
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TN305;TH122(半导体技术)
江苏省科技计划;苏州市科技计划;吴江区科技领军人才计划项目
2017-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
98-100