10.3969/j.issn.1674-8646.2014.01.004
质子能量歧离的Geant4模拟
为了解析能量歧离与入射质子能量、靶材料及厚度的关系,利用Geant4程序模拟100 keV~2 MeV质子垂直入射Be、C、H2O、Al、Cu薄膜的方法.结果给出能量歧离与薄膜厚度、薄膜材料及入射质子能量的关系.得出能量歧离主要发生在入射质子100 ~200 keV能量范围内,且薄膜厚度越大,靶材料面电子密度越大,能量歧离越大;入射质子能量越大,能量歧离越小的结论.
Geant4、质子、能量歧离、薄膜
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O571.33(原子核物理学、高能物理学)
2014-04-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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