10.3969/j.issn.1674-8646.2013.01.018
ZnIn2S4半导体催化剂的制备、表征及产氢性能研究
采用沉淀-水热法制备了系列ZnIn2S4半导体催化剂,并通过XRD、UV-Vis、XPS和SEM等分析手段对上述催化剂进行了表征.考察了反应液pH值、反应液浓度、水热反应温度等制备条件对ZnIn2S4半导体催化剂的形貌结构和产氢性能的影响.试验结果表明,制备条件对催化剂的晶体结构及其微现形貌影响显著.制备的ZnIn2S4半导体催化剂为六方晶型,吸收边为500 nm,其中ZnIn2S4-160-24表现出较好的催化产氢性能,产氢速率可达764μmol/(h·g).
ZnIn2S4、光催化、水热法
TQ426.94
黑龙江省科学院青年创新基金
2013-04-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
33-37,29