10.3969/j.issn.1674-8646.2013.01.015
4He离子卢瑟福背散射的Geant4模拟
利用Geant4程序模拟了270keV、500keV 4He离子垂直入射到Au、Ag、Cu薄膜的卢瑟福背散射谱(RBS),讨论了材料、厚度和入射离子能量对背散射谱的影响.对比不同能量4He离子的背散射谱,能量较大的4He离子进行薄膜背散射元素分析具有较好的质量分辨率.
Geant4、重离子、RBS分析、薄膜
O484.5(固体物理学)
2013-04-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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