4He离子卢瑟福背散射的Geant4模拟

摘要：

利用Geant4程序模拟了270keV、500keV 4He离子垂直入射到Au、Ag、Cu薄膜的卢瑟福背散射谱(RBS),讨论了材料、厚度和入射离子能量对背散射谱的影响.对比不同能量4He离子的背散射谱,能量较大的4He离子进行薄膜背散射元素分析具有较好的质量分辨率.

关键词：Geant4、重离子、RBS分析、薄膜

分类号：O484.5(固体物理学)

在线出版日期：2013-04-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：22-24