一种用于GaN HEMT栅驱动片内电源产生电路设计

摘要：

GaN HEMT功率器件通常用于高频开关频率下(MHZ以上),尤其开关频率达到10 MHZ以上之后,对栅驱动芯片的内部的电源电路设计要求更加苛刻[1].本文设计了 一种带欠压保护功能的LDO电源产生电路,能实时检测电源电压是否处于欠压状态,进而通过关闭电源对芯片进行保护,避免欠压状态对芯片内部电路造成的损害.采用华润微电子0.18 um BCD工艺,完成了电路的仿真设计验证,LDO的输入电压为5 V、输出电压为1.8 V,负载电流在0 mA到20 mA,1 MHz频率跳变时测得下冲电压为500 mV左右,其负载瞬态响应的时间420 ns左右.输入电源电压从欠压到正常跳变,以及正常状态到欠压跳变过程中,欠压保护电路均能很好实现控制信号输出.

关键词：GaN HEMT、栅驱动电路、低压差线性稳压器、欠压保护电路

分类号：TN402(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：安徽省自然科学研究重点项目;安徽省智能微系统工程技术研究中心开放基金重点项目;国家级大学生创新创业训练计划项目

在线出版日期：2023-07-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：57-60