二维高阶拓扑绝缘体拓扑相变以及光电导研究

摘要：

我们研究了二维高阶拓扑绝缘体在面外磁化下的拓扑相变以及光电导行为.我们发现,不依赖于电子轨道的塞曼项不破坏系统的高阶拓扑性质以及角态的存在,但是不能产生非零的霍尔光电导.依赖于电子轨道的塞曼项可能带来新的拓扑相变,产生陈绝缘体相.拓扑相变点对应于光电导的峰值或跃变点.这些现象为我们利用光学手段表征和检测二维高阶拓扑绝缘相提供了新的可能性.

关键词：拓扑材料、二维高阶拓扑绝缘体、拓扑相变、光电导

分类号：O469(真空电子学（电子物理学）)

在线出版日期：2023-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：88-92