10.3969/j.issn.1673-1328.2022.10.014
关于热辐射反射环优化直拉单晶硅生长的模拟研究
基于对CZ法单晶硅生长热物理过程的分析,本文针对其传热过程进行优化,创造性的提出可以提高直拉单晶生长速度的热辐射反射环.通过CGSim软件的长晶模拟研究,证明反射环结构具有较好的优化单晶棒传热的效果.本文中模拟研究的案例显示,将文中所提出的反射环结构应用在当前炉型结构中时,拉速提高的潜力在15%左右.
CZ(Czochralski)法、单晶硅生长、热辐射、反射环、CGSim
O782(晶体生长)
2022-04-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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