10.3969/j.issn.1673-1328.2022.06.006
基于Au/KMnAgSe2/Ag结构存储器的阻变效应研究
采用高温固相法合成具有层状结构的KMnAgSe2,并首次将其作为阻变层材料制备成结构为Au/KMnAgSe2/Ag的阻变器件.通过一系列电学测试研究了该夹层结构器件的阻变性能,研究表明Au/KMnAgSe2/Ag器件具有明显的双极性阻变特性,并表现出较优的稳定性和非易失性.在经历连续200次的循环测试或103s的时间后电阻开关比仍旧保持在10以上.本实验研究结果为KMnAgSe2应用到阻变存储器件中提供了材料基础和理论指导,将有望成为一种极具潜力的新型非易失性存储器.
阻变效应、金属导电细丝、非易失性
TP333(计算技术、计算机技术)
2022-04-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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