基于Au/KMnAgSe2/Ag结构存储器的阻变效应研究

摘要：

采用高温固相法合成具有层状结构的KMnAgSe2,并首次将其作为阻变层材料制备成结构为Au/KMnAgSe2/Ag的阻变器件.通过一系列电学测试研究了该夹层结构器件的阻变性能,研究表明Au/KMnAgSe2/Ag器件具有明显的双极性阻变特性,并表现出较优的稳定性和非易失性.在经历连续200次的循环测试或103s的时间后电阻开关比仍旧保持在10以上.本实验研究结果为KMnAgSe2应用到阻变存储器件中提供了材料基础和理论指导,将有望成为一种极具潜力的新型非易失性存储器.

关键词：阻变效应、金属导电细丝、非易失性

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2022-04-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：18-21