10.11823/j.issn.1674-5795.2023.01.11
基于光谱干涉椭偏法的薄膜厚度测量
薄膜厚度的测量在芯片制造和集成电路等领域中发挥着重要作用.椭偏法具备高测量精度的优点,利用宽谱测量方式可得到全光谱的椭偏参数,实现纳米级薄膜的厚度测量.为解决半导体领域常见的透明硅基底上薄膜厚度测量的问题并消除硅层的叠加信号,本文通过偏振分离式光谱干涉椭偏系统,搭建马赫曾德实验光路,实现了近红外波段硅基底上膜厚的测量,以100 nm厚度的二氧化硅薄膜为样品,实现了纳米级的测量精度.本文所提出的测量方法适用于透明或非透明基底的薄膜厚度测量,避免了检测过程的矫正步骤或光源更换,可应用于化学气相沉积、分子束外延等薄膜制备工艺和技术的成品的高精度检测.
光谱干涉、椭偏、薄膜测量、偏振分离
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TB96(计量学)
自然科学基金重大研究计划培育项目;自然科学基金重点项目
2023-04-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
122-127