10.3969/j.issn.1674-5795.2010.z1.065
气敏元件的技术改造-薄膜气敏元件的开发
简要叙述了气敏元件技术改造的情况,介绍了研制薄膜气敏元件的工艺流程和芯片结构以及我们已研制出的薄膜元件(SnO2, ZnO, Fe2O3, TiO2, ZnSnO3)的气敏特性和温耗特性.
薄膜元件、气敏特性、热功耗特性
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TN304.055(半导体技术)
2010-11-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
150-152
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10.3969/j.issn.1674-5795.2010.z1.065
薄膜元件、气敏特性、热功耗特性
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TN304.055(半导体技术)
2010-11-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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