嵌入式存储器自修复电路的设计与仿真
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1674-5795.2010.01.004

嵌入式存储器自修复电路的设计与仿真

引用
介绍了一种存储器自修复电路的仿真设计,其中内建自测试模块中的地址生成器采用LFSR设计,它面积开销相当小,从而大大降低了整个测试电路的硬件开销.而内建自修复模块采用基于一维冗余(冗余行块)结构的修复策略设计.通过16×32比特 SRAM自修复电路设计实验验证了此方法的可行性.

嵌入式存储器、SRAM、线性反馈移位寄存器(LFSR)、自测试、自修复

30

TP343;TM133(计算技术、计算机技术)

2010-05-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

14-17

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

计测技术

1674-5795

11-5347/TB

30

2010,30(1)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn