10.3969/j.issn.1674-5795.2006.z1.004
Sb掺杂对ZnO厚膜的电导和气敏性能的影响
用共沉淀的方法,制备了纤锌矿结构的ZnO及其掺Sb的ZnO纳米粉.X射线衍射(XRD)分析表明,当锑掺量小于5wt%时没有新相生成.纯ZnO和掺Sb的ZnO器件的气敏和电阻测试结果发现:不同的厚膜烧结工艺对气体的敏感性影响较大,并且掺Sb后ZnO的气敏性能有所提高,电导峰消失.从缺陷角度、XPS分析的结果进行了讨论,初步解释了锑的掺入导致电导变化和气敏性能提高的原因.
ZnO、掺杂、气敏、电导、Sb2O3
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TB9(计量学)
2006-09-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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