基于电化学刻蚀与微电铸工艺的微流控芯片模具制作

摘要：

为解决微流控芯片模具在微电铸工艺中铸层与基底结合力差的问题,在光刻工艺的基础上,采用掩膜电化学刻蚀和微电铸相结合的方法,制作出了结合力较好的镍基双十字微流控芯片模具.针对掩膜电化学刻蚀的工艺参数进行了试验研究,选定了制作微流控芯片模具的最佳工艺参数,解决了酸洗引起胶膜脱落失效、刻蚀引起侧蚀等问题.使用剪切强度表征界面结合强度,运用剪切法测量了微电铸层与基底的剪切强度,定量分析了酸洗工艺和刻蚀工艺的参数对界面结合强度的影响.试验结果表明,酸洗20s后电铸层与基底的剪切强度相对于直接电铸提高了98.5％,刻蚀5min后剪切强度提高了203.6％.刻蚀5min后的剪切强度相对于酸洗20s后电铸的剪切强度提高了53.0％.本文提出的方法能够有效提高铸层与基底的界面结合强度,延长微流控芯片模具的使用寿命.

关键词：结合力、电化学刻蚀、微流控芯片模具、微电铸

分类号：TG7;TN2

资助基金：国家自然科学基金项目51375077,51475245;大连理工大学创新团队项目DUT16TD20

在线出版日期：2017-10-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-20