10.16080/j.issn1671-833x.2015.10.060
军用印制电路组件气相沉积促进工艺技术
对聚对二甲苯ParyleneC真空气相沉积促进工艺进行了全面研究。通过附着力测试,确定了促进剂和促进工艺。并对ParyleneC涂层的三防性、耐热性、耐介质性进行了考核。结果表明:在最佳促进参数条件下,附着力达到1级,各项性能指标均满足军用印制电路组件三防技术要求。
促进工艺、气相沉积、附着力、聚对二甲苯
2015-06-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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