SiC热防护涂层制备工艺研究

摘要：

基于热力学理论分析和化学气相沉积工艺特点,设计了CVD-SiC工艺流程,进而在石墨基体上制备了SiC涂层.对涂层进行了SEM及XRD分析,考察了反应温度和体系压力对涂层形貌和结构的影响.研究表明,较低的体系压力有利于在较低的温度下制备高纯度的SiC涂层,在优化工艺条件下(n(H2)/n(MTS)=10,p=10kPa,t=1100℃)制备的SiC涂层结构致密,表面呈球形颗粒状,沿(111)面择优取向生长.

关键词：化学气相沉积、碳化硅涂层、热力学分析

分类号：TQ4;TQ6

在线出版日期：2014-09-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：90-92,97