Gd2SiO5纳米粉体的并流化学共沉淀法合成

摘要：

以Gd2O3和正硅酸乙酯(TEOS)为原材料,采用并流化学共沉淀法合成Gd2SiO5粉体材料.研究Gd2SiO5前驱体的热响应特征、Gd2SiO5粉体的物相组成和微观形貌,并对Gd2SiO5粉体的合成机理进行初步探讨.结果表明:前驱体的低Gd/Si摩尔比和反应体系的高pH值会导致Gd2SiO5粉体生成Gd9.33(SiO4)6O2杂质相,相反则会导致生成Gd2O3杂质相.当Gd/Si摩尔比为20:11、pH值为9～10、合成温度为1000～1300?℃时,合成的粉体纯度较高,Gd2SiO5颗粒呈不规则形貌特征,平均粒度为100～200?nm.Gd2SiO5合成过程中,前驱体以一种—[Si—O—Gd]—网络结构存在,在煅烧过程中逐渐转化为Gd2SiO5晶体以及Gd9.33(SiO4)6O2和Gd2O3杂相.

关键词：Gd2SiO5粉体、并流共沉淀法、Gd/Si摩尔比、反应体系pH值、合成机理

所属期刊栏目：41

分类号：TQ174.75

资助基金：国家科技重大专项;中南林业大学材料表面与界面科学与技术湖南省重点实验室

在线出版日期：2021-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：89-97