工艺参数对2A12铝合金微弧氧化陶瓷层生长的影响

摘要：

研究了正/负向电流密度、频率和正/负向占空比对铝合金微弧氧化陶瓷层生长的影响,采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD),分析了不同氧化时间陶瓷层表面和截面形貌、成分和相组成,讨论了陶瓷层的生长过程.研究表明,正/负向电流密度相同时,随电流密度的增加膜层厚度增大;而当正向电流密度相同时,负向电流密度增加有利于膜层的生长;成膜速率随脉冲频率和负向占空比增加,均呈现先增大后减小的趋势;陶瓷层总厚度随氧化时间接近于线性增长,致密层占总膜层的比例先快速增加,其后略微下降.SEM结果显示,随氧化时间延长,样品表面膜厚度趋于均匀,界面处氧化膜变得比较平坦.陶瓷层主要由α-Al_2O_3和γ-Al_2O_3相组成,随氧化时间的延长,γ-Al_2O_3相在陶瓷层中的相对含量逐渐减少.而α-Al_2O_3相的含量逐渐提高.

关键词：铝合金、微弧氧化、生长过程

所属期刊栏目：29

分类号：TG146.2+3(金属学与热处理)

在线出版日期：2010-01-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：59-65