铝含量对铜镍电阻薄膜结构及电性能的影响

摘要：

采用磁控溅射法制备了铝含量分别为0wt%,10wt%,20wt%,30wt%的CuNi系电阻薄膜,应用透射电镜(TEM)、X光衍射仪(XRD)分析薄膜在热处理前后的晶化行为,结合X光电子能谱仪(XPS)分析了膜层表面结构组成.结果表明,当未加入铝元素时,溅射态CuNi薄膜析出孤岛状分布的CuNi晶化相;随着铝元素加入到一定量,CuNi薄膜将相继分解出链状分布的细小有序相(Cu,Ni)9Al4以及呈均匀连续状态的有序相(Cu,Ni)Al.经大气中退火处理,薄膜具有与溅射态相似的晶化相结构类型;未加入铝元素的退火态CuNi薄膜表面主要由疏松的氧化铜构成,而铝含量在10wt%以上的CuNi薄膜表面主要由致密的三氧化二铝构成.随着薄膜中铝元素增多,CuNi薄膜电阻率呈下降趋势;铝含量为10wt%～20wt%范围的CuNi薄膜具有最小的电阻温度系数值.随热处理温度提高,未含铝元素CuNi薄膜电阻率有增大倾向,电阻温度系数变化无一定规律;加至一定量铝元素的CuNi系薄膜电阻率随热处理温度的提高而减少,电阻温度系数朝正向移动.

关键词：铝含量、铜镍电阻薄膜、结构、电性能

所属期刊栏目：21

分类号：TM544+.4(电器)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：34-38