InAs/GaSb超晶格中短波双色探测器新型钝化方法研究

摘要：

由于InAs/GaSbⅡ类超晶格材料有较高的表面态密度,易在表面生成导电氧化层,在将其制备成红外器件的过程中,首先要解决钝化问题.钝化效果和覆盖膜层质量对红外器件的表面漏电和噪声有很大影响.使用阳极氟化加硫化锌的方法,对中短波双色InAs/GaSb超晶格进行钝化,使用俄歇电子能谱测试证实了阳极氟化的可靠性,使用77 K下的J-V测试结果,对比证实了氟化的钝化效果和对漏电流密度的改善效果.结果表明,阳极氟化加硫化锌的钝化方法可以有效抑制漏电.

关键词：InAs/GaSb超晶格、MBE、表面钝化、双色探测器、阳极氟化

所属期刊栏目：28

分类号：TJ765.3+33;TN215(火箭、导弹)

资助基金：航空科学基金201924012001

在线出版日期：2021-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：110-113